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行業資訊

石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進展

讀: 最近,中國科學院半導體研究所照明研發中心與北京大學納米化學研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團隊合作,開發出了石墨烯/藍寶石新型外延襯底,并提出了等離子體預處理改性石墨烯,促進AlN薄膜生長實現深紫外LED的新策略。

深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域。最近,中國科學院半導體研究所照明研發中心與北京大學納米化學研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團隊合作,開發出了石墨烯/藍寶石新型外延襯底,并提出了等離子體預處理改性石墨烯,促進AlN薄膜生長實現深紫外LED的新策略。

同時,魏同波與劉忠范團隊合作提出了石墨烯/NPSS納米圖形襯底外延AlN的生長模型,使深紫外光源有望成為石墨烯產業化的一個突破口。

相關上市公司:

國星光電:在深紫外領域,公司開發出可靠性更高、老化衰減更少的深紫外器件,壽命L50達2萬小時以上,殺菌率達99.9%,可有效凈化水質污染,起到殺菌、消毒作用。

鴻利智匯:在投資者關系互動平臺上表示,深紫外LED產品是公司在LED行業布局的方向之一。

轉自:ofweek

型號

PDA500MF

PDA200MF

PDA40MF

PDA10MF

PDA6MF

波長(nm)

200nm-1100nm

帶寬@3db

500MHz

200MHz

40MHz

10MHz

6MHz

光敏面mm

1X1mm

1X1mm

1.2X1.2mm

1.2X1.2mm

3.2X3.2mm

響應時間

0.6ns

1.5ns

8ns

32ns

50ns

最大輸入光功率(擊穿功率)

5mW

垮阻增益@10M

10X103V/A(可選)

探測器類型

Si

輸出阻抗

50Ω

輸出接口

SMA

輸出功率@50Ω

12dBm

等效輸入噪聲譜密度

31 pW/√Hz

32 pW/√Hz

20 pW/√Hz

20 pW/√Hz

20 pW/√Hz

工作電壓

±12V or 12V

尺寸*

36X36X12

mm



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